半导体物理学(第6版){*JB*}|刘恩科|电子工业出版社

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半导体物理学(第6版){*JB*}

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作者：刘恩科	出版社：电子工业出版社
译者：	丛书名：
出版日期：2005-6-22	上架日期：2005-10-27 18:05:00
ISBN：7505389858	页数：448 版次：初版
开本：16开	装帧：平装

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| 大封面 | 封底 | 前言 | 内容简介 | 序言 | 目录 | 作者简介 | 译者简介 | 作者序 | 译者序 |

【读者评论】

内容简介
本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。

目录
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主要参数符号表 
 第1章半导体中的电子状态
1.1半导体的晶格结构和结合性质 
1.1.1金刚石型结构和共价键
1.1.2闪锌矿型结构和混合键
1.1.3纤锌矿型结构
1.2半导体中的电子状态和能带
1.2.1原子的能级和晶体的能带
1.2.2半导体中电子的状态和能带
1.2.3导体、半导体、绝缘体的能带
1.3半导体中电子的运动有效质量
1.3.1半导体中E(k)与k的关系
1.3.2半导体中电子的平均速度
1.3.3半导体中电子的加速度
1.3.4有效质量的意义
1.4本征半导体的导电机构空穴
1.5回旋共振
1.5.1k空间等能面
1.5.2回旋共振
1.6硅和锗的能带结构
1.6.1硅和锗的导带结构
1.6.2硅和锗的价带结构
1.7ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构
1.7.1锑化铟的能带结构
1.7.2砷化镓的能带结构
1.7.3磷化镓和磷化铟的能带结构
1.7.4混合晶体的能带结构
1.8ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构
1.8.1二元化合物的能带结构
1.8.2混合晶体的能带结构
1.9Si1-x Ge x合金的能带
1.10宽禁带半导体材料
1.10.1SiC的晶格结构与能带
1.10.2GaN，AIN的晶格结构与能带
习题
参考资料
 第2章半导体中杂质和缺陷能级
2.1硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1替位式杂质间隙式杂质
2.1.2施主杂质、施主能级
2.1.3受主杂质、受主能级
2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.5杂质的补偿作用
2.1.6深能级杂质
2.2ⅢⅤ族化合物中的杂质能级
2.3缺陷、位错能级
2.3.1点缺陷
2.3.2位错
习题
参考资料
 第3章半导体中载流子的统计分布
3.1状态密度
3.1.1k空间中量子态的分布
3.1.2状态密度
3.2费米能级和载流子的统计分布
3.2.1费米分布函数
3.2.2玻耳兹曼分布函数
3.2.3导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4载流子浓度乘积n0p0
3.3本征半导体的载流子浓度
3.4杂质半导体的载流子浓度
3.4.1杂质能级上的电子和空穴
3.4.2n型半导体的载流子浓度
3.5一般情况下的载流子统计分布
3.6简并半导体
3.6.1简并半导体的载流子浓度
3.6.2简并化条件
3.6.3低温载流子冻析效应
3.6.4禁带变窄效应
*3.7电子占据杂质能级的概率
3.7.1求解统计分布函数
习题
参考资料
 第4章半导体的导电性
4.1载流子的漂移运动和迁移率
4.1.1欧姆定律
4.1.2漂移速度和迁移率
4.1.3半导体的电导率和迁移率
4.2载流子的散射
4.2.1载流子散射的概念
4.2.2半导体的主要散射机构
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.3.1平均自由时间和散射概率的关系
4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系
4.3.3迁移率与杂质和温度的关系
4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.4.1电阻率和杂质浓度的关系
4.4.2电阻率随温度的变化
4.5玻耳兹曼方程、电导率的统计理论
4.5.1玻耳兹曼方程
4.5.2弛豫时间近似
4.5.3弱电场近似下玻耳兹曼方程的解
4.5.4球形等能面半导体的电导率
4.6强电场下的效应、热载流子
4.6.1欧姆定律的偏离
4.6.2平均漂移速度与电场强度的关系
4.7多能谷散射耿氏效应
4.7.1多能谷散射、体内负微分电导
4.7.2高场畴区及耿氏振荡
习题
参考资料
 第5章非平衡载流子
5.1非平衡载流子的注入与复合
5.2非平衡载流子的寿命
5.3准费米能级
5.4复合理论
5.4.1直接复合
5.4.2间接复合
5.4.3表面复合
5.4.4俄歇复合
5.5陷阱效应
5.6载流子的扩散运动
5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
5.8连续性方程式
习题
参考资料
 第6章pn结
6.1pn结及其能带图
6.1.1pn结的形成和杂质分布
6.1.2空间电荷区
6.1.3pn结能带图
6.1.4pn结接触电势差
6.1.5pn结的载流子分布
6.2pn结电流电压特性
6.2.1非平衡状态下的pn结
6.2.2理想pn结模型及其电流电压方程
6.2.3影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素
6.3pn结电容
6.3.1pn结电容的来源
6.3.2突变结的势垒电容
6.3.3线性缓变结的势垒电容
6.3.4扩散电容
6.4pn结击穿
6.4.1雪崩击穿
6.4.2隧道击穿(齐纳击穿)
6.4.3热电击穿
6.5pn结隧道效应
习题
参考资料
 第7章金属和半导体的接触
7.1金属半导体接触及其能级图
7.1.1金属和半导体的功函数
7.1.2接触电势差
7.1.3表面态对接触势垒的影响
7.2金属半导体接触整流理论
7.2.1扩散理论
7.2.2热电子发射理论
7.2.3镜像力和隧道效应的影响
7.2.4肖特基势垒二极管
7.3少数载流子的注入和欧姆接触
7.3.1少数载流子的注入
7.3.2欧姆接触
习题
参考资料
 第8章半导体表面与MIS结构
8.1表面态
8.2表面电场效应
8.2.1空间电荷层及表面势
8.2.2表面空间电荷层的电场、电势和电容
8.3MIS结构的电容-电压特性
8.3.1理想MIS结构的电容-电压特性
8.3.2金属与半导体功函数差对MIS结构CV特性的影响
8.3.3绝缘层中电荷对MIS结构CV特性的影响
8.4硅－二氧化硅系统的性质
8.4.1二氧化硅中的可动离子
8.4.2二氧化硅层中的固定表面电荷
8.4.3在硅-二氧化硅界面处的快界面态
8.4.4二氧化硅中的陷阱电荷
8.5表面电导及迁移率
8.5.1表面电导
8.5.2表面载流子的有效迁移率
8.6表面电场对pn结特性的影响
8.6.1表面电场作用下pn结的能带图
8.6.2表面电场作用下pn结的反向电流
8.6.3表面电场对pn结击穿特性的影响
8.6.4表面纯化
习题
参考资料
 第9章半导体异质结构
9.1半导体异质结及其能带图
9.1.1半导体异质结的能带图
9.1.2突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度
9.1.3突变反型异质结的势垒电容
9.1.4突变同型异质结的若干公式
9.2半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性
9.2.1突变异质pn结的电流-电压特性
9.2.2异质pn结的注入特性
9.3半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性
9.3.1半导体调制掺杂异质结构界面量子阱
9.3.2双异质结间的单量子阱结构
9.3.3双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应
9.4半导体应变异质结构
9.4.1应变异质结
9.4.2应变异质结构中应变层材料能带的人工改性
9.5半导体超晶格
9.6半导体异质结在光电子器件中的应用
9.6.1单异质结激光器
9.6.2双异质结激光器
9.6.3大光学腔激光器
习题
参考资料
 第10章半导体的光学性质和光电与发光现象
10.1半导体的光学常数
10.1.1折射率和吸收系数
10.1.2反射系数和透射系数
10.2半导体的光吸收
10.2.1本征吸收
10.2.2直接跃迁和间接跃迁
10.2.3其他吸收过程
10.3半导体的光电导
10.3.1附加电导率
10.3.2定态光电导及其弛豫过程
10.3.3光电导灵敏度及光电导增益
10.3.4复合和陷阱效应对光电导的影响
10.3.5本征光电导的光谱分布
10.3.6杂质光电导
10.4半导体的光生伏特效应
10.4.1pn结的光生伏特效应
10.4.2光电池的电流电压特性
10.5半导体发光
10.5.1辐射跃迁
10.5.2发光效率
10.5.3电致发光激发机构
10.6半导体激光
10.6.1自发辐射和受激辐射
10.6.2分布反转
10.6.3pn结激光器原理
10.6.4激光材料
 习题
参考资料
 第11章半导体的热电性质
11.1热电效应的一般描述
11.1.1塞贝克效应
11.1.2珀耳贴效应
11.1.3汤姆逊效应
11.1.4塞贝克系数、珀耳贴系数和汤姆逊系数间的关系
11.2半导体的温差电动势率
11.2.1一种载流子的绝对温差电动势率
11.2.2两种载流子的绝对温差电动势率
11.2.3两种材料的温差电动势率
11.3半导体的珀耳帖效应
11.4半导体的汤姆逊效应
11.5半导体的热导率
11.5.1载流子对热导率的贡献
11.5.2声子对热导率的贡献
11.6半导体热电效应的应用
习题
参考资料
 第12章半导体磁和压阻效应
12.1霍耳效应
12.1.1一种载流子的霍耳效应
12.1.2载流子在电磁场中的运动
12.1.3两种载流子的霍耳效应
12.1.4霍耳效应的应用
12.2磁阻效应
12.2.1物理磁阻效应
12.2.2几何磁阻效应
12.2.3磁阻效应的应用
12.3磁光效应
12.3.1朗道(Landau)能级
12.3.2带间磁光吸收
12.4量子化霍耳效应
12.5热磁效应
12.5.1爱廷豪森效应
12.5.2能斯脱效应
12.5.3里纪-勒杜克效应
12.6光磁电效应
12.6.1光扩散电势差
12.6.2光磁电效应
12.7压阻效应
12.7.1压阻系数
12.7.2液体静压强作用下的效应
12.7.3单轴拉伸或压缩下的效应
12.7.4压阻效应的应用
习题
参考资料
 第13章非晶态半导体
13.1非晶态半导体的结构
13.2非晶态半导体中的电子态
13.2.1无序体系中电子态的定域化
13.2.2迁移率边
13.2.3非晶半导体的能带模型
13.2.4非晶态半导体的化学键结构
13.3非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应
13.3.1四面体结构非晶态半导体中的缺陷和隙态
13.3.2硫系非晶态半导体的缺陷与缺陷定域态
13.3.3Ⅳ族元素非晶半导体的掺杂效应
13.4非晶态半导体中的电学性质
13.4.1非晶态半导体的导电机理
13.4.2非晶态半导体的漂移迁移率
13.4.3非晶态半导体的弥散输运过程 
13.5非晶态半导体中的光学性质
13.5.1非晶态半导体的光吸收
13.5.2非晶态半导体的光电导
13.6a Si∶H的pn结与金－半接触特性
参考资料

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