半导体器件基础|安德森|清华大学出版社

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半导体器件基础

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作者：安德森	出版社：清华大学出版社
译者：	丛书名：
出版日期：2006-3-1	上架日期：2006-3-20 10:43:00
ISBN：7302124507	页数：版次：1-1
开本：16开	装帧：平装

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| 大封面 | 封底 | 前言 | 内容简介 | 序言 | 目录 | 作者简介 | 译者简介 | 作者序 | 译者序 |

【读者评论】

内容简介
本书不仅包括了量子力学、半导体物理和半导体器件（包括二极管、场效应晶体管、双极晶体管和光电器件）的基本工作原理等内容，还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如：对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导，给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式；考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加，书中对半导体异质结作了着重介绍；由于半导体制造设备和工艺技术的提高，“能带工程”得以实现，随之带来了器件性能的提高，所以本书在重点介绍硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和异质结器件；本书还利用电路分析程序SPICE对器件的I -V特性进行了模拟，对简单电路进行了稳态和瞬态分析。
本书不仅是一本很好的教科书，也很适合作为微电子和相关领域的工程技术人员的参考书。作者Betty Lise Anderson博士是美国俄亥俄州立大学工学院的电机工程教授，讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年，有丰富的研究经验，目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此,与实际器件应用紧密结合也是本书的一个特色。

目录
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CONTENTS
Preface xiii
PA R T 1  Materials 
 Chapter 1 Electron Energy and States in Semiconductors 
  1.1 Introduction and Preview 
  1.2 A Brief History 
  1.3 Application to the Hydrogen Atom 
  1.4 Wave-Particle Duality 
  1.5 The Wave Function 
  1.6 The Electron Wave Function 
  1.7 A First Look at Optical Emission and Absorption 
  1.8 Crystal Structures, Planes, and Directions 
  1.9 Summary
  1.10 Reading List 
  1.11 References 
  1.12 Review Questions 
  1.13 Problems 
 Chapter 2 Homogeneous Semiconductors 
  2.1 Introduction and Preview 
  2.2 Pseudo-Classical Mechanics for Electrons in Crystals 
  2.3 Conduction Band Structure 
  2.4 Valence Band Structure 
  2.5 Intrinsic Semiconductors 
  2.6 Extrinsic Semiconductors 
  2.7 The Concept of Holes 
  2.8 Density-of-States Functions for Electrons in Bands 
  2.9 Fermi-Dirac Statistics 
  2.10 Electron and Hole Distributions with Energy 
  2.11 Temperature Dependence of Carrier Concentrations in Nondegenerate 
Semiconductors 
  2.12 Degenerate Semiconductors 
  2.13 Summary 
  2.14 Reading List 
  2.15 References 
  2.16 Review Questions 
  2.17 Problems 
 Chapter 3 Current Flow in Homogeneous Semiconductors 
  3.1 Introduction 
  3.2 Drift Current 
  3.3 Carrier Mobility 
  3.4 Diffusion Current 
  3.5 Carrier Generation and Recombination 
  3.6 Optical Processes in Semiconductors 
  3.7 Continuity Equations 
  3.8 Minority Carrier Lifetime 
  3.9 Minority Carrier Diffusion Lengths 
  3.10 Quasi Fermi Levels 
  3.11 Summary 
  3.12 Reading List 
  3.13 References 
  3.14 Review Questions 
  3.15 Problems 
 Chapter 4 Nonhomogeneous Semiconductors 
……
PA R T 2  Diodes 
 Chapter 5 Prototype pn Homojunctions 
 Chapter 6 Additional Considerations for Diodes 
PA R T 3 Field-Effect Transistors 
 Chapter 7 The MOSFET 
 Chapter 8 Additional Considerations for FETs 
PA R T 4 Bipolar Junction Transistors 
 Chapter 9  Bipolar Junction Devices: Statics 
 Chapter 10 Time-Dependent Analysis of BJTs 
PA R T 5 Optoelectronic Devices 
 Chapter 11 Optoelectronic Devices 
Appendices

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