电力电子设备用器件与集成电路应用指南（第１册）|李宏编著|机械工业出版社

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电力电子设备用器件与集成电路应用指南（第１册）

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作者：李宏编著	出版社：机械工业出版社
译者：	丛书名：
出版日期：2001-6-27	上架日期：2005-10-8
ISBN：7111088751	页数：版次：1-1
开本：16	装帧：

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| 大封面 | 封底 | 前言 | 内容简介 | 序言 | 目录 | 作者简介 | 译者简介 | 作者序 | 译者序 |

【读者评论】

内容简介
本书在讲座电力电子技术与电力电子设备发展动向的基础上，全面介绍了常用各种电力半导体器件的内部结构、外形、工作原理、参数定义、保护技术、驱动技术及使用技巧。内容涉及普通晶闸管、门极关断（GTO）晶闸管、电力晶体管（GTR）、MOS场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、静电感应晶闸管（SITH）、静电感应晶体管（SIT）、MOS控制晶闸管（MCT）、快恢复二极管（FSR）、联栅晶体管（GAT）、MOS双门极发射极关断晶闸管（EST）、集成门极换向晶闸管（IGCT）、注入增强栅晶体管（IEGT）、电力半导体模块和组件、固态继电器等，给出上述部分器件的参数、各公司产品型号对照，最后详细给出普通晶闸管、GTO晶闸管、MOSFET和IGBT常用驱动集成电路的引脚排列、内部结构和工作原理、主要特点和参数限制以及应用技术。附录中给出一些器件专用控制和驱动板选型指南和书中提到的生产企业的联系途径。

目录
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前言
第1章 电力电子技术与电力电子设备的发展动向
1．1电力电子技术与电力电子设备
1．2电力半导体器件和功率集成电路
1．3电力电子设备和控制专用集成电路
第2章 常用电力半导体器件
2．1概述
2．2晶闸管（Thyristor）
2．2．1晶闸管的基本结构
2．2．2晶闸管的工作原理
2．2．3晶闸管三个极的鉴别方法
2．2．4晶闸管的基本特性
2．2．5晶闸管的主要技术参数
2．2．6晶闸管的串、并联
2．2．7晶闸管的保护
2．2．8其他常用的不可控制关断晶闸管
2．3门极关断（GTO）晶闸管
2．3．1 GTO的基本结构
2．3．2 GTO的工作原理
2．3．3 GTO的基本特性
2．3．4 GTO的主要技术参数
2．3．5 GTO使用的共性问题
2．3．6 GTO的应用举例
2．4电力晶体管（GTR）
2．4．1 GTR的基本结构和工作原理
2．4．2 GTR的基本特性
2．4．3 GTR的主要技术参数
2．4．4 GTR使用的共性问题
2．4．5 GTR的应用举例
2．5电力MOS场效应晶体管（MOSFET）
2．5．1电力MOSFET的基本结构和工作原理
2．5．2电力MOSFET的基本特性
2．5．3电力MOSFET的主要技术参数
2．5．4电力MOSFET使用的共性问题
2．5．5电力MOSFET的应用举例
2．6绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
2．6．1基本结构和工作原理
2．6．2 IGBT的基本特性
2．6．3 IGBT的主要技术参数
2．6．4 IGBT使用的共性问题
2．6．5 IGBT的应用举例
2．7静电感应晶闸管（SITH）
2．7．1 SITH的基本结构和工作原理
2．7．2 SITH的基本特性
2．7．3 SITH的主要技术参数
2．7．4 SITH使用的共性问题
2．7．5 SITH的应用举例
2．8静电感应晶体管（SIT）
2．8．1 SIT的基本结构和工作原理
2．8．2 SIT的基本特性
2．8．3 SIT的主要技术参数
2．8．4 SIT使用的共性问题
2．8．5 SIT的应用举例
2．8．6 SIT家族中的重要一员-双极型静电感应晶体管（BSIT）
2．9 MOS控制晶闸管（MCT）
2．9．1 MCT的基本结构和工作原理
2．9．2 MCT的基本特性
2．9．3 MCT的主要技术参数
2．9．4 MCT使用的共性问题
2．9．5 MCT的应用技术和发展前景
2．10快恢复二极管（FSR）
2．10．1 FSR的基本结构和工作原理
2．10．2 FSR的开关特性
2．10．3 FSR的主要技术参数
2．10．4肖特基二极管
2．10．5 FSR的应用举例
2．10．6常用FSR的电性能参数
2．11联栅晶体管（GAT）
2．11．1 GAT的基本结构和工作原理
2．11．2 GAT的主要设计特点和技术参数
2．11．3 GAT的应用举例
2．12 MOS双门极发射极关断晶闸管（EST）
2．13集成门极换向晶闸管（IGCT）
2．13．1 IGCT的基本结构和工作原理
2．13．2 IGCT的主要性能特点和优点
2．13．3 IGCT的主要技术参数
2．13．4 IGCT的基本特性
2．13．5 IGCT与其他电力半导体器件的比较
2．13．6 IGCT的应用技术和举例
2．14注入增强栅晶体管（IEGT）
2．14．1 IEGT基本结构和工作原理
2．14．2 IEGT的分类
2．14．3 IEGT的基本特性
2．14．4 IEGT的主要技术参数
2．14．5 IEGT与其他电力半导体器件的比较
2．14．6 IEGT的应用举例
第3章 电力半导体模块和组件
3．1概述
3．2硅整流管（SR）模块
3．2．1硅整流管模块的电路结构和参数
3．2．2一管封装的快恢复硅整流管模块
3．2．3两管封装的硅整流管模块
3．2．4单相桥式硅整流管模块
3．2．5三相桥式磋整流管模块
3．2．6三相半桥整流管模块
3．2．7肖特基整流管模块
3．2．8高压硅整流管模块
3．3晶闸管模块
3．3．1一管封装的晶闸管模块
3．3．2两管封装的晶闸管模块
3．3．3与整流管混合两管封装的晶闸管模块
3．3．4三管封装的三相半桥晶闸管模块
3．3．5四管封装的晶闸管模块和与整流管混合封装的晶闸管模块
3．3．6五管封装的晶闸管模块和与整流管混合封装的晶闸管模块
3．3．7六管封装的晶闸管模块和与整流管混合封装的晶闸管模块
3．3．8与整流管混合七管封装的晶闸管模块
3．3．9两三相桥反并联的晶闸管组件模块
3．3．10派生晶闸管模块
3．4集成移相调控晶闸管模块
3．4．1主要设计特点
3．4．2内部电路联结形式和特性
3．4．3型号含义和电性能参数
3．4．4应用技术
3．5电力晶体管（GTR）模块
3．5．1一单元封装的GTR模块
3．5．2专为斩波器应用设计的GTR模块
3．5．3带有齐纳二极管的三级达林顿GTR模块
3．5．4两单元封装的GTR模块
3．5．5四单元封装的GTR模块
3．5．6六单元封装的GTR模块
3．5．7 GTR模块的应用技术
3．6绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块
3．6．1 IGBT模块的内部电路结构
3．6．2一单元封装的IGBT模块
3．6．3斩波器用IGBT模块
3．6．4两单元封装的IGBT模块
3．6．5三单元同时共发射极与共栅极封装的IGBT模块
3．6．6四单元封装的IGBT模块
3．6．7六单元封装的IGBT模块
3．6．8其他类型的IGBT模块
3．7电力MOS场效应晶体管（MOSFET）模块
3．7．1一单元封装的电力MOSFET模块
3．7．2专为斩波器设计的电力MOSFET模块
3．7．3两单元封装的电力MOSFET模块
3．7．4四单元封装的电力MOSFET模块
3．7．5六单元封装的电力MOSFET模块
3．7．6单相整流桥与制动用MOSFET斩波管混合封装的电力MOSFET模块
3．8智能电力模块（IPM）
3．8．1输出功率级为单相半桥的IPM
3．8．2不带制动轿回路的600V IPM
3．8．3带制动斩波回路的600V IPM
3．8．4输出为三相全桥不带制动斩波回路的1200V IPM
3．8．5输出为单相半桥不带制动斩波回路的1200V IPM
3．8．6输出为三相全桥带制动斩波回路的1200V IPM
3．8．7输出为单个IGBT的1200V IPM
3．8．8带散热器的IPM
3．9固态继电器（SSR）
3．9．1 SSR的分类和参数
3．9．2 SSR的应用技术
3．10电力半导体组件
3．10．1电力半导体组件与模块的区别
3．10．2电力半导体组件的分类
3．10．3电力半导体组件的参数
第4章 晶闸管移相触发控制专用集成电路和模块
4．1概述
4．2 KJ001晶闸管移相触发器集成电路
4．3 KJ004晶闸管移相触发器集成电路
4．4 KJ006双向晶闸管或反并联晶闸管移相触发器集成电路
4．5 KJ008双向晶闸管过零触发器集成电路
4．6 KJ009高抗干扰性晶闸管移相触发器集成电路
4．7 KJ010晶闸管移相触发器集成电路
4．8 KJ0ll改进型晶闸管移相触发器集成电路
4．9 TCA785晶闸管及晶体管移相触发器集成电路
4．10 TH101单相半控及全控晶闸管移相触发器厚膜集成电路
4．11 KC168单片数字式晶闸管移相触发器集成电路
4．12 KJ041六路双脉冲形成器集成电路
4．13 KJ042脉冲列调制形成器集成电路
4．14 TH103三相半控、全控晶闸管移相触发器厚膜集成电路
4．15 TC787／KJ787高性能晶闸管三相移相触发器集成电路
4．16 LZ110快速充电用晶闸管移相触发器集成电路
4．17 LZ111改进型快速充电用晶闸管移相触发器集成电路
4．18 KM-18-2晶闸管移相触发器厚膜集成电路
4．19 KM-18-3可补双脉冲晶闸管厚膜移相触发器集成电路
4．20 KTM03性能优良的双向晶闸管无级调功触发器模块
4．21 ACRV01负载为纯感抗时可程控的调压触发器模块
4．22 CF系列晶闸管触发器模块
4．23 KC188智能型单片全数字化晶闸管三相触发器集成电路
4．24 KTM2011A新一代晶闸管触发模块
4．25 KTM05晶闸管脉冲列触发器模块
第5章 门极关断（GTO）晶闸管的门极控制电路
5．1概述
5．2 GTO要求的门极控制信号波形
5．3影响GTO门极控制技术的关键因素
5．4 GTO的典型门极控制电路举例
5．5 HL301A GTO门极驱动器控制集成电路
5．6硬驱动——－GTO门极驱动技术的革命化进步
第6章 电力晶体管（GTR）基极驱动和控制专用集成电路
6．1概述
6．2 HL201 GT基极驱动厚膜集成电路
6．3 HL202 GTR基极驱动厚膜集成电路
6．4 UAA4002 GTR基极驱动和保护集成电路
6．5 UAA4003含有PWM发生器的GTR斩波器专用基极驱动集成电路
6．6 EXB356/EXB357 GTR基极驱动厚膜集成电路
6．7 M57215BL／M57925L／M57950L驱动大电流GTR的厚膜驱动器集成电路
6．8 M57915L／M57916L／M57917L／小电流GTR模块厚膜驱动器集成电路
6．9 M57951L／M57904L可同时驱动三个独立GTR单元的厚膜驱动器集成电路
6．10 MPD1202／TF1202可直接驱动100A以下GTR模块的基极厚膜驱动器集成电路
6．11 ZTP100／ZTP200GTR驱动保护集成电路
第7章 电力MOS场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动控制专用集成电路
7．1概述
7．2高速MOSFET驱动器设计中应考虑的问题
7．3 IR2101带欠电压封锁功能的半桥MOSFET驱动器
7．4 IR2110具有两输出的桥臂MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路
7．5 IR2130可同时驱动三相桥电路中六个MOSFET的栅极驱动器集成电路
7．6 IR2117单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路
7．7 IR2125带电流限制的MOSFET或IGBT驱动器集成电路
7．8 TPS2832／TPS2833停滞时间控制同步降压MOSFET驱动器集成电路
7．9 S19976DY桥式MOSFET驱动器集成电路
7．10 UC3724／UC3725隔离MOSFET驱动器集成电路
7．11 EL7144C双输入高速大电流MOSFET驱动器集成电路
7．12 EL7202C／EL7212C／EL7222C高速双路电力MOSFET驱动器集成电路
7．13 HT04高压隔离MOSFET驱动器集成电路
7．14 IR2133／IR2135／IR2233／IR2235三相全桥MOSFET驱动器集成电路
7．15 TLP250单MOSFET驱动器集成电路
7．16 MC34151／MC33151／MC34152／MC33152高速双MOSFET驱动器集成电路
7．17 MDCll00A具有集成门电路钳位的MOSFET关断器件
第8章 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极驱动控制专用集成电路
8．1概述
8．2 HL40lA IGBT厚膜驱动器集成电路
8．3 HL402A（B）具有自保护功能的IGBT厚膜驱动器集成电路
8．4 HL403A（B）可驱动600A IGBT模块的厚膜驱动器集成电路
8．5 UC1727／UC2727／UC3727隔离高端IGBT驱动器集成电路
8．6 HR065 IGBT栅极驱动器集成电路
8．7 EXB系列IGBT厚膜驱动器集成电路
8．8 M57957L／M57958L不含保护性能的IGBT厚膜驱动器集成电路
8．9 M57959AL／M57962AL／M57959L／M57962L带保护和定时复位功能的厚膜驱动器集成电路
8．10 M57963L混合集成IGBT驱动器集成电路
8．11 GH－038高速大容量IGBT驱动器集成电路
8．12 GH－039带有过电流保护功能的高速大容量IGBT厚膜驱动器集成电路
8．13 SKH121／SKH122性能优良的混合双路IGBT、MOSFET驱动器集成电路
附录
附录A 国产平板形派生晶闸管的标准系列
附录B 国产平板形和螺栓形晶闸管、整流管的标准系列
附录C 系列化电力半导体器件控制和驱动板选型指南
附录D 部分生产企业或供货商名录
参考文献

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