半导体概论|陈治明|电子工业出版社

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半导体概论

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作者：陈治明	出版社：电子工业出版社
译者：	丛书名：
出版日期：2008-1-1	上架日期：2008-1-16
ISBN：7121053063	页数：版次：第1版
开本：16开	装帧：平装

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| 大封面 | 封底 | 前言 | 内容简介 | 序言 | 目录 | 作者简介 | 译者简介 | 作者序 | 译者序 |

【读者评论】

内容简介
本书从工程应用的角度，浓缩半导体物理、半导体材料和半导体器件的基本内容，介绍半导体及其器件的基本原理，介绍各种主要半导体材料的基本特性、制备方法及其应用，特别注意反映半导体科学与技术发展前沿的动态及最新成果。主要内容包括：半导体物理与器件概论，半导体材料概论，半导体材料的制备方法，半导体杂质工程与能带工程，宽禁带半导体，以及半导体照明等。
本书可作为普通高等院校本科电子科学与技术专业和微电子学专业“半导体材料”课程和材料科学与工程学科研究生“半导体概论”课程以及相关领域工程硕士课程的教科书，也可作为相关学科研究生“光电子技术”等课程的教学参考书或补充教材，更可供在半导体器件与微电子技术领域、材料科学与工程领域、微机电领域以及应用物理等领域从事研究和开发工作的研究人员和工程技术人员参考。

目录
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半导体科技发展史概要（代序）
  参考文献
第1章 半导体物理概论
  1.1 半导体中电子的能量状态
    1.1.1 能带理论
    1.1.2 半导体的能带结构
    1.1.3 半导体中的载流子
    1.1.4 载流子的有效质量
  1.2 半导体的导电性
    1.2.1 载流子的漂移运动和半导体的电导率
    1.2.2 半导体中的载流子统计
    1.2.3 散射与载流予的迁移率
    1.2.4 半导体电阻率的温度特性
  1.3 半导体中的额外载流予
    1.3.1 额外载流子的产生与复合
    1.3.2 额外载流子的运动
  1.4 半导体应用基础
    1.4.1 半导体器件的基本结构
    1.4.2 半导体pn结原理
    1.4.3 金属一半导体接触原理
    1.4.4 MOS栅原理
    1.4.5 半导体光电子学原理
  参考文献
第2章 半导体材料概述
  2.1 半导体材料的晶体结构与分类
    2.1.1 元素的电负性与原子的结合
    2.1.2 共价结合与正四面体结构
    2.1.3 半导体的晶体结构
    2.1.4 化合物半导体的极性
  2.2 元素半导体
    2.2.1 硒（Se）
    2.2.2 三种具有半导体特征的结晶碳
    2.2.3 灰锡（a-Sn）
    2.2.4 锗（Ge）
    2.2.5 硅（Si）
    2.2.6 其他元素半导体
  2.3 化合物半导体
    2.3.1 Ⅲ—Ⅴ族化合物
    2.3.2 Ⅱ—Ⅵ族化合物
    2.3.3 氧化物半导体
    2.3.4 Ⅳ—Ⅵ族化合物
    2.3.5 Ⅳ—Ⅳ族化合物
    2.3.6 其他化合物半导体
    2.3.7 半导体固溶体
  2.4 有机半导体
  2.5 非晶半导体
    2.5.1 非晶体结构与制备原理
    2.5.2 非晶半导体的电子态
    2.5.3 非晶半导体的输运性质
    2.5.4 非晶半导体的光学性质
    2.5.5 非晶半导体种类及其应用
  2.6 精细结构半导体
    2.6.1 微晶和纳米晶
    2.6.2 半导体超品格
  2.7 磁性及超导半导体
  参考文献
第3章 半导体材料制备概述
  3.1 半导体材料制备的理论基础
    3.1.1 相图
    3.1.2 区熔提纯原理
    3.1.3 晶体生长原理
  3.2 晶体生长技术
    3.2.1 布里奇曼法（BIidgman）
    3.2.2  直拉法（czochralski，简称cz）
    3.2.3  区熔法（Floating Zone，简称FZ）
    3.2.4 升华法
  3.3半导体薄膜的生长与淀积
    3.3.1 外延生长
    3.3.2 半导体薄膜的其他制备方法
  参考文献
第4章 杂质工程和能带工程
  4.1 常规掺杂
  ……
第5章 宽禁带半导体
第6章 半导体照明

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