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CMOS及其他先导技术:特大规模集成电路设计

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  • I S B N :978-7-111-59391-1
  • 条码书号:9787111593911
  • 上架日期:2018/4/3
  • 出版日期:2018/4/1
  • 版       次:1-1
  • 出 版 社:机械工业出版社
  • 原出版社:Cambridge University Press
  • 丛 书 名: 电子电气工程师技术丛书
  • 页     数:329    
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详情描述

内容简介

本书概述现代CMOS晶体管的技术发展,提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件,重点论述了具有更陡峭亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。本书适合作为电子信息类专业与工程等专业的教材,也可作为相关专业人士的参考书。

目       录

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前       言

前言Preface过去四十年以来,作为数字芯片中电子开关的主要类型,CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管持续小..

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