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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺

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作者:赵善麒
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详情描述

内容简介

IGBT是新型高频电力电子技术的CPU,是目前国家重点支持的核心器件,被广泛应用于国民经济的各个领域。本书共分10章,包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。
本书面向电气、自动化、新能源等领域从事电力电子技术的广大工程技术人员和研究生,既满足从事器件设计、制造、封装、测试专业人员的知识和技术需求,也兼顾器件应用专业人员对器件深入了解以满足更好应用IGBT的愿望。

目       录

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前       言

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物半导体场效应晶体管 (Metal..

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作者简介

赵善麒

赵善麒,江苏宏微科技股份有限公司董事长、总裁,研究员,享受国务院特殊津贴,是中国电工技术学会电力电子学会常务理事、中国电源学会理事和中国电工技术学会电气节能专委会理事。他是国内首位电力半导体器件博士,1994年赴法国里昂国立科学学院从事博士后研究,曾在香港科技大学和美国从事多年研究工作。2006年,他在常州创办江苏宏微科技股份有限公司,公司设有江苏省“企业院士工作站”,并已承担10余项科研项目、3项省级科研项目,获得37项国家专利、3项国际专利、2项软件著作权,拥有7项省高新技术产品。宏微科技被认定为科技部“国家重点高新技术企业” “国家高技术产业化示范基地”“江苏省高新技术企业”,是江苏省科技成果转化专项资金项目承担单位。他入选中组部“千人计划”和我省首批“双创计划”,并先后被江苏省委、省政府评为“江苏省劳动模范”、十大“江苏留学回国先进个人”,被江苏省侨办评为“江苏十佳创业新侨”。

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